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簡要描述：ENX2020 IGBT/晶閘管老化測試系統(tǒng)是在一定溫度下，對半導(dǎo)體器件施加阻斷（或反偏）電壓，按照規(guī)定時間，從而對器件進行質(zhì)量檢驗和耐久性評估的一種主要試驗方法。
產(chǎn)品型號：廠商性質(zhì)：代理商更新時間：2025-09-25訪 問 量：2056產(chǎn)品分類
Product Category詳細介紹
| 品牌 | 其他品牌 |
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交流阻斷（或反偏）耐久性試驗是在一定溫度下，對半導(dǎo)體器件施加阻斷（或反偏）電壓，按照規(guī)定時間，從而對器件進行質(zhì)量檢驗和耐久性評估的一種主要試驗方法。一般情況下，此項試驗是對器件在結(jié)溫（TM℃和規(guī)定的交流阻斷電壓或反向偏置電壓的兩應(yīng)力組合下，進行規(guī)定時間的試驗，并根據(jù)抽樣理論和失效判定依據(jù)，確認是否通過， 同時獲取相關(guān)試驗數(shù)據(jù)。該系統(tǒng)符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、JEDEC標準。
ENX2020 IGBT/晶閘管老化測試系統(tǒng)
系統(tǒng)組成：
| 漏電流保護回路 |
| 試驗電壓保護回路 |
| 高壓回路 |
| 試品漏電流 |
| 試驗電壓 |
| 溫度控制單元 |
ENX2020 IGBT/晶閘管老化測試系統(tǒng)
技術(shù)指標：
| 晶閘管高溫阻斷 | IGBT高溫反偏測試 | |
| 試驗電壓 | VDRM.VRRM/VRRM 300V- 4000V 連續(xù)可調(diào)， 50HZ工頻 | 試驗電壓： 50-5000V ±3%±10V 器件漏電流測試范圍： 0.01mA-2mA 0.01mA-1mA±3%±0.01mA 1mA-2mA±3%±0.1mA 測試時間：計算機設(shè)定 測試方法：器件在特定溫度下存儲一定時間后，在設(shè)定電壓下對每只器件同時持續(xù)加反壓進行測試，每隔1-2秒刷新一遍輸出的測試結(jié)果，監(jiān)控各器件反壓下漏電流參數(shù)，并保存測試數(shù)據(jù)。 |
| 試驗電流 | IDRM.IRRM/IRRM 1.0mA-200.0mA | |
| 試驗溫度 | 溫度范圍：室溫-180℃ 125℃±3℃；溫度波動度±0.5℃ | |
| 試驗工位 | 10工位 | |
| 試驗容量 | 80×16=1280位 | |
| 加電方式 | 器件試驗參數(shù)從器件庫中導(dǎo)入，ATTM自動加電試驗方式，可單通道操作；老化電源可根據(jù)設(shè)定試驗電壓和上電時間程控步進加載 | |
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